| 型号/型号规格 | 分类 | 品牌 | 封装 | 批号 | 数量 | 询价 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| K4A8G085WB-BCTD | 存储IC |
SAMSUNG/三星 |
BGA |
22+ |
5120 |
|||
| H5AN4G8NBJR-UHC | 存储IC |
SKHYNIX/海力士 |
FBGA |
22/23+ |
6400 |
|||
| H5TQ4G63EFR-TEC |
|
存储IC |
SKHYNIX/海力士 |
FBGA |
25+ |
6400 |
||
| K4AAG085WA-BCWE | 动态随机存取存储器(DRAM) |
SAMSUNG/三星 |
BGA |
25+ |
5120 |
|||
| MT41K512M16VRP-107 IT:P | DDR存储器 |
MICRON/美光 |
BGA |
2204+ |
1046 |
|||
| K4U6E3S4AB-MGCL | DDR存储器 |
SAMSUNG/三星 |
BGA |
25+ |
2000 |
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| MT41J128M16JT-093:K | DDR存储器 |
MICRON/美光 |
BGA |
20+ |
2000 |
|||
| MT40A256M16GE-083E:B | DDR存储器 |
MICRON/美光 |
BGA |
1810+ |
2040 |
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| K4A8G165WC-BCRC | DDR存储器 |
SAMSUNG/三星 |
BGA |
23+ |
4000 |
|||
| K4B2G1646F-BYMA | DDR存储器 |
SAMSUNG/三星 |
BGA |
23+ |
4000 |
|||
| MT41K512M16VRN-107 IT:P |
|
动态随机存取存储器(DRAM) |
MICRON/美光 |
BGA |
22+ |
4000 |
||
| K4B2G1646F-BCNB | DDR存储器 |
SAMSUNG/三星 |
BGA |
23+ |
4480 |
|||
| K4B4G1646E-BYMA | DDR存储器 |
SAMSUNG/三星 |
BGA |
23+ |
4480 |
|||
| BMM150 | 其他传感器 |
BOSCH/博世 |
BGA |
18+ |
6400 |
|||
| K4B4G1646E-BCNB | DDR存储器 |
SAMSUNG/三星 |
BGA |
2501 |
1120 |
|||
| MT29F2G08ABAEAH4-IT:E |
|
FLASH存储器 |
MICRON/美光 |
FBGA |
1752+ |
692 |
||
| K4B2G1646F-BMK0 | 存储IC |
SAMSUNG/三星 |
BGA |
21+ |
4000 |
|||
| K4B4G1646E-BMMA | 存储IC |
SAMSUNG/三星 |
BGA |
2301+ |
117 |
|||
| BMA223 | 速度传感器 |
BOSCH/博世 |
LGA |
17+ |
7180 |
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| TH58TFT0DFLBA8H | KIOXIA/铠侠 |
FBGA |
15+ |
1050 |
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